4H-SiC纳米薄膜的晶化研究

• 作者: 张洪涛 徐重阳 王长安 邹雪城
• 来源期刊: 微细加工技术
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米电子学 4H-SiC PECVD 纳米薄膜 自组织生长
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 所属期刊栏目: 薄膜技术
• 页码范围: 30-35
• 页数: 6页
• 分类号: TN305.55
• 字数: 4032字
• 语种: 中文

摘要

采用新电极结构的PECVD技术,在高功率密度、高氢稀释比、低温、偏压及低反应气压的条件下,在SiO2玻璃表面形成双等离子流,增加了SiO2表面SiC的成核几率,增强成核作用,形成纳米晶.采用高H2等离子体刻蚀弱的、扭曲的、非晶Si-C及SI-Si和Si-H等键时,由于H等离子体对纳米SiC晶粒与非晶态键的差异刻蚀作用,产生自组织生长,发生晶化.Raman光谱和透射电子衍射(TEM)的测试结果表明,纳米晶SiC是4H-SiC多型结构.实验结果指出,SiC纳米晶的形成必须经过偏压预处理成核,并且其晶化存在一个功率密度阈值;当低于这一功率密度阈值时,晶化消失;当超过这一阈值时,纳米晶含量随功率密度的提高而增加,晶粒尺寸加大.电子显微照片表明晶粒尺寸为10～28nm,形状为微柱体.随着晶化作用的加强,电导率增加,导电机理是渗流作用所致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邹雪城	华中科技大学电子科学与技术系	310	2261	21.0	31.0
2	徐重阳	华中科技大学电子科学与技术系	85	592	12.0	19.0
3	王长安	华中科技大学电子科学与技术系	23	163	7.0	11.0
4	张洪涛	华中科技大学电子科学与技术系	22	97	4.0	8.0