Si(111)衬底GaN薄膜的制备与特性

• 作者: 庄惠照 杨莺歌 薛成山 郝晓涛 马洪磊 马瑾
• 来源期刊: 中国科学A辑
• 学科: 物理学
• 关键词: 光致发光 氮化镓 硅衬底
• 年，卷（期）: 2002,（12）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 1102-1105
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 1989字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1006-9232.2002.12.006

摘要

用溅射后退火反应法在Si(111)衬底上制备的高质量GaN薄膜. XRD, XPS, SEM和PL测量结果表明该方法制备的GaN是六角纤锌矿结构的多晶. GaN的最大晶粒尺寸约为100 nm. 在354 nm处发现强室温光致发光峰, 带隙相对于体GaN发生了轻微蓝移.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马瑾	山东大学物理与微电子学院	44	495	13.0	20.0
2	马洪磊	山东大学物理与微电子学院	58	681	15.0	23.0
3	庄惠照	山东师范大学半导体研究所	72	276	9.0	11.0
4	薛成山	山东师范大学半导体研究所	117	476	11.0	13.0
5	郝晓涛	山东大学物理与微电子学院	12	158	7.0	12.0
6	杨莺歌	山东大学物理与微电子学院	8	124	5.0	8.0