浮栅ROM器件γ辐射效应实验研究

• 作者: 彭宏论 王燕萍 耿斌 贺朝会 陈晓华
• 来源期刊: 核电子学与探测技术
• 学科: 工学
• 关键词: FLASH ROM EEPROM 60Coγ源 总剂量效应
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 页码范围: 344-347
• 页数: 4页
• 分类号: TN38
• 字数: 2310字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-0934.2002.04.017

摘要

给出了浮栅ROM器件的γ辐照效应实验结果.器件出现错误有个累积剂量阈值,当累积剂量小于某一值时,无数据错误.当累积剂量达到一定值时,开始出现数据错误.随着累积剂量的增加,错误数增加,动态监测和静态加电的器件都出现数据错误,且不能用编程器重新写入数据.然而不加电的器件在更高的累积剂量辐照下未出现错误,而且可以用编程器重新写入数据.