直流磁控溅射ZnO薄膜的结构和室温PL谱研究

• 作者: 汪雷
• 来源期刊: 材料科学与工程
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO薄膜 张应力 磁控溅射 光致发光
• 年，卷（期）: 2002,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 425-427
• 页数: 3页
• 分类号: TB43
• 字数: 2675字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-2812.2002.03.031

摘要

ZnO是一种新型的宽带化合化半导体材料,对短波长的光电子器件如UV探测器,LED和LD有着巨大的潜在应用.本实验研究采用直流反应磁控溅射法在硅衬底上沉积C轴择优取向的ZnO晶体薄膜,薄膜呈柱状结构,晶粒大小约为100nm,晶粒内为结晶性能完整的单晶,但晶粒在C轴方向存在较大的张应力.ZnO薄膜在He-Cd激光器激发下有较强的紫外荧光发射,应力引起ZnO禁带宽度向长波方向移动,提高衬底温度有利于降低应力和抑制深能级的绿光发射.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	汪雷	浙江大学硅材料国家重点实验室	41	646	13.0	25.0