基于直流磁控溅射室温制备ZnO薄膜研究

• 作者: 温殿忠 赵晓锋 高来勖
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 直流磁控溅射 ZnO薄膜 晶粒 晶粒间界
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 页码范围: 461-465
• 页数: 5页
• 分类号: TM614
• 字数: 2395字
• 语种: 中文

摘要

采用直流磁控溅射法在P型<100>晶向单晶硅衬底上室温制备ZnO薄膜,对室温制备的ZnO薄膜分别在500℃、600℃、700℃进行高温退火,通过采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱和场发射扫描电子显微镜(SEM)、HP4145B型半导体参数测试仪分析不同退火温度对室温生长ZnO薄膜微结构、表面形貌和,Ⅰ-Ⅴ特性影响.实验结果表明,室温生长的ZnO薄膜为非晶态,随退火温度增加,ZnO薄膜出现(002)、(100)、(101)晶面衍射峰且逐渐增强,晶粒大小相对增加,在700℃退火后,呈高度c轴择优取向,晶粒间界明显,拉曼光谱E2模增强.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	温殿忠	黑龙江大学黑龙江省普通高等学校电子工程重点实验室	51	330	10.0	15.0
5	高来勖	黑龙江大学黑龙江省普通高等学校电子工程重点实验室	9	36	4.0	6.0
9	赵晓锋	黑龙江大学黑龙江省普通高等学校电子工程重点实验室	27	123	8.0	10.0