工艺参数对氧化铟锡薄膜光电性能的影响

• 作者: 常天海
• 来源期刊: 真空与低温
• 学科: 工学
• 关键词: 磁控溅射 工艺参数 氧化铟锡 光电性能
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 211-214
• 页数: 4页
• 分类号: TG113|TB43
• 字数: 2426字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-7086.2002.04.004

摘要

研究了磁控溅射陶瓷靶制备氧化铟锡薄膜时优化工艺参数的重要性,通过实验和理论分析了几个主要工艺参数对氧化铟锡薄膜光电性能的影响,给出了基底温度、溅射电压、氧含量等参数的最佳范围.结果表明,只有当工艺参数位于最佳范围时,才能制备出光电性能最佳的氧化铟锡薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	常天海	华南理工大学电信学院	67	317	10.0	14.0