等离子体加工对器件损伤的两种模式

• 作者: 刘艳红 王美田 胡礼中 赵宇 马腾才
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 等离子体损伤 器件的可靠性 半导休工艺
• 年，卷（期）: 2002,（5）
• 所属期刊栏目: 可靠性分析
• 页码范围: 69-72
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 字数: 2608字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2002.05.022

摘要

介绍了微细加工中等离子体工艺对器件的损伤.主要有两种损伤模式:充电效应引起的损伤和辐射损伤.讨论了两种损伤模式的等离子体过程及损伤机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡礼中	大连理工大学物理系半导体教研室	28	160	8.0	11.0
2	刘艳红	大连理工大学物理系半导体教研室	14	73	6.0	8.0
3	赵宇	大连理工大学物理系半导体教研室	34	82	5.0	7.0
4	王美田	大连理工大学物理系半导体教研室	4	13	3.0	3.0
5	马腾才		1	6	1.0	1.0