C+离子注入与CoSi2薄膜应力的研究

• 作者: 冯嘉猷 刘继峰 王若楠
• 来源期刊: 自然科学进展
• 学科: 工学
• 关键词: CoSi 2 薄膜 应力 原子表面电子密度 TFD模型
• 年，卷（期）: 2002,（12）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 1296-1300
• 页数: 5页
• 分类号: TB3
• 字数: 3642字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-008X.2002.12.012

摘要

根据改进的Thomas-Fermi-Dirac模型,分析了CoSi 2 薄膜中本征应力的起源,证明了基体与薄膜的原子表面电子密度差是薄膜本征应力的来源.实验在Si(100)基体注入碳离子(C + ),然后沉积钴(Co)薄膜,再进行快速退火(Rapid Thermal Annealing,简称RTA)形成二硅化钴(CoSi 2 )薄膜,发现薄膜中的应力随C + 离子注入剂量的增加而减少,理论计算了由C + 离子注入引起的应力减小的数值,并与实验结果进行了比较.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯嘉猷	清华大学材料科学与工程系	4	73	3.0	4.0
2	刘继峰	清华大学材料科学与工程系	2	24	2.0	2.0
3	王若楠	清华大学材料科学与工程系	1	16	1.0	1.0