MCM用氮化铝共烧多层陶瓷基板的研究

• 作者: 崔嵩 张浩 黄岸兵
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化铝 共烧工艺 多层基板
• 年，卷（期）: 2003,（8）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 25-28
• 页数: 4页
• 分类号: TN42|TM281
• 字数: 3454字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2003.08.010

摘要

通过实验优化AlN(氮化铝)瓷料配方及排胶工艺,对共烧W(钨)导体浆料性能及AlN多层基板的高温共烧工艺进行了研究,并对AlN多层基板的界面进行了扫描电镜分析.采用AlN流延生瓷片与W高温共烧的方法,成功地制备出了高热导率的AlN多层陶瓷基板,其热导率为190 W/(m@K),线膨胀系数为4.6×10-6℃-1(RT~400℃),布线层数9层,W导体方阻为9.8 mΩ,翘曲度为0.01 mm/50 mm,完全满足高功率MCM的使用要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张浩		6	21	3.0	4.0
2	崔嵩		8	33	3.0	5.0
3	黄岸兵		2	13	2.0	2.0