SiC-MESFET器件的夹断电压

• 作者: 张义门 张志勇 张玉明 王守国 阎军锋
• 来源期刊: 西北大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 夹断电压 界面态
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 页码范围: 26-28
• 页数: 3页
• 分类号: TN386.3
• 字数: 2053字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-274X.2003.01.008

摘要

考虑空间电荷区杂质的非完全离化、SiC表面的界面态和反向漏电流等因素的影响,给出了较为精确的计算SiC-MESFET器件夹断电压的方法,计算的结果和实验值符合较好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子研究所	129	835	15.0	21.0
2	张志勇	西北大学电子科学系	98	759	13.0	22.0
3	张玉明	西安电子科技大学微电子研究所	126	777	15.0	20.0
4	王守国	西安电子科技大学微电子研究所	4	30	3.0	4.0
8	阎军锋	西北大学电子科学系	13	290	6.0	13.0