用交流孪生靶磁控反应溅射法制备ITO薄膜

• 作者: 李强勇 王洁冰 许旻 赵印中 邱家稳
• 来源期刊: 真空与低温
• 学科: 工学
• 关键词: 孪生靶磁控溅射 ITO 透明导电
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 13-16,34
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.055|O484.4
• 字数: 3056字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-7086.2003.01.003

摘要

采用氧化铟锡(ITO)陶瓷靶(质量分数为90%的In2O3与10%的SnO2)作为溅射源,通过交流孪生靶反应磁控溅射制备出了性能优良的ITO薄膜,其光谱透射率大于85%.结合对所镀制ITO薄膜的表面形貌及化学成分分析,研究了反应气体流量、退火等工艺参数对ITO薄膜光学和电学性能的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邱家稳		44	477	14.0	20.0
2	许旻		21	233	10.0	14.0
3	王洁冰		17	208	9.0	14.0
4	赵印中		13	185	8.0	13.0
5	李强勇		7	124	5.0	7.0