双嵌入式低k介电层/铜工艺技术

• 作者: 利定东 濮胜
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 双嵌入 内导线 RC延迟 低k介电层 铜布线工艺制程
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 所属期刊栏目: 专题报道
• 页码范围: 22-24,21
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 字数: 2363字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2003.03.011

摘要

介绍了铜/低介电常数介电层的双嵌入式工艺,该工艺已大规模应用于动态记忆存储器(D R A M)和逻辑电路器件中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	利定东		5	30	1.0	5.0
2	濮胜		1	0	0.0	0.0