碳化硅薄膜及压阻效应研究

• 作者: 张志勇 戴琨 王雪文 赵武 邓周虎
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 压阻效应 薄膜
• 年，卷（期）: 2003,（8）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 29-30，34
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 2102字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2003.08.011

摘要

研究了SiC薄膜的制备及其压阻特性.利用热丝化学气相沉积(HFCVD)法在硅(111)晶面制备SiC薄膜,对制备的薄膜进行X射线衍射分析和其它测试.结果表明:SiC薄膜晶向取向一致,薄膜生长速率为3 μm / h,厚度约为5 μm.同时,利用高阻仪研究该薄膜的压阻特性,测得应变量(ε)在(2~6)×10-4范围内,电阻的相对变化量(ΔR@R-1)和压阻灵敏度因子(k)随应变量(ε)的变化曲线.结果表明该薄膜有明显的压阻效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张志勇	西北大学电子科学系	98	759	13.0	22.0
2	邓周虎	西北大学电子科学系	39	330	9.0	16.0
3	王雪文	西北大学电子科学系	45	408	11.0	18.0
4	赵武	西北大学电子科学系	29	269	8.0	15.0
5	戴琨	西北大学电子科学系	6	20	3.0	4.0