超高压力传感器绝缘封装薄膜的工艺研究

• 作者: 周鸿仁 崔红玲 杜晓松 杨邦朝 滕林
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 电子技术 锰铜传感器 三氧化二铝 绝缘薄膜 电子束蒸发 致密性
• 年，卷（期）: 2004,（12）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 25-27
• 页数: 3页
• 分类号: TP212
• 字数: 1918字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2004.12.009

摘要

为了提高锰铜传感器的测压上限,须用薄膜工艺制备无机绝缘三氧化二铝薄膜来作为传感器的绝缘封装层.采用电子束蒸发法,对影响三氧化二铝薄膜的相关工艺如:蒸发原料的纯度、成膜次数进行了研究.最终得出:由99.99%的三氧化二铝原料制备出的薄膜致密性好、缺陷少,其绝缘电阻率和损耗分别可达1012Ω·cm和10-3量级;而采用多次间隙蒸发可明显改善薄膜的附着性和致密性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜晓松	电子科技大学微固学院	61	434	12.0	16.0
2	杨邦朝	电子科技大学微固学院	253	3422	31.0	49.0
3	滕林	电子科技大学微固学院	16	88	5.0	9.0
4	周鸿仁	电子科技大学微固学院	12	60	5.0	7.0
5	崔红玲	电子科技大学电子工程学院	16	163	5.0	12.0