表面处理对n-GaN上无合金化Ti/Al欧姆接触的作用

• 作者: 何乐年 刘磊 陈忠景
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: n型GaN 欧姆接触 表面处理
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 166-168
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 2505字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2004.03.002

摘要

本文研究了表面处理对n-GaN上无合金化的Ti/Al电极起的作用,比较了(NH4)2Sx和CH3CSNH2两种不同的表面处理方法.在用CH3CSHN2/NH4OH溶液处理过的样品上制作的无合金化的Ti/Al电极,可得到较低的(4.85～5.65)×10-4Ω·cm2的接触电阻率,而且材料的发光特性也有明显提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘磊	浙江大学信息与电子工程学系	29	205	7.0	13.0
2	何乐年	浙江大学信息与电子工程学系	88	869	16.0	26.0
3	陈忠景	浙江大学信息与电子工程学系	4	8	1.0	2.0