IGCT及IGCT变频器

• 作者: 余世科 李洪剑 王志强
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: IGCT 开关器件 变频器
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 所属期刊栏目: 专题报道(分立器件工艺与发展)
• 页码范围: 89-92
• 页数: 4页
• 分类号: TN32
• 字数: 3176字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2004.05.027

摘要

IGCT是一种在大功率开关器件GTO基础上改进而成的新型电力电子器件.和GTO相比,IGCT的关断时间降低了30%,功耗降低40%.它是一种不需要吸收电路的开关器件,可以像晶闸管一样导通,像IGBT一样关断,并且具有很低的功率损耗.IGCT在使用时只需将它连接到一个20V的电源和一根光纤上就可以控制它的开通和关断.由于IGCT设计理想,使得IGCT的开通损耗可以忽略不计,再加上它的低导通损耗,使得它可以在以往大功率半导体器件所无法满足的高频率下运行.IGCT可望迅速取代GTO,成为高压变频器的首选器件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李洪剑	705研究所昆明分部	1	0	0.0	0.0
2	王志强	705研究所昆明分部	1	0	0.0	0.0
3	余世科	705研究所昆明分部	1	0	0.0	0.0