一种抗总剂量辐照的NMOSFETs

• 作者: 海潮和 赵洪辰 钱鹤 韩郑生
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: SOI 总剂量辐照 氮化H2-O2合成栅介质 C型体接触
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 页码范围: 578-580
• 页数: 3页
• 分类号: TN386|TN405
• 字数: 1271字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2004.04.010

摘要

在商用SIMOX衬底上制备了抗辐照NMOSFETs,使用的主要技术手段有:氮化H2-O2合成栅介质加固正栅;增加体区掺杂,以提高背栅阈值电压;采用C型体接触结构,消除边缘寄生晶体管.结果表明,在经受1×106 rad(Si)的辐照后,器件特性没有明显恶化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	海潮和	中国科学院微电子研究所	72	277	9.0	13.0
2	韩郑生	中国科学院微电子研究所	122	412	10.0	12.0
3	赵洪辰	中国科学院微电子研究所	10	29	4.0	5.0
4	钱鹤	中国科学院微电子研究所	32	164	7.0	12.0