工艺参数对磁控反应溅射AlN薄膜沉积速率的影响

• 作者: 乔保卫 刘正堂 李阳平
• 来源期刊: 西北工业大学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 磁控反应溅射 AlN薄膜 沉积速率
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 页码范围: 260-263
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 3704字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-2758.2004.02.032

摘要

采用射频磁控反应溅射法,以高纯Al为靶材,高纯N2为反应气体,成功制备了氮化铝(AlN)薄膜.研究了N2气流量、射频功率、溅射气压等工艺参数对AlN膜沉积速率的影响规律.结果表明,随着N2气流量的增加,靶面溅射由金属态过渡到氮化态,沉积速率随之明显降低;沉积速率随射频功率的增大几乎成线性增大,随靶基距的增大而减小;随着溅射气压的增大,沉积速率不断增大,但在一定气压下达到最大值后,沉积速率又随气压不断减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李阳平	西北工业大学材料学院	25	201	8.0	13.0
2	刘正堂	西北工业大学材料学院	120	749	14.0	21.0
3	乔保卫	西北工业大学材料学院	2	77	2.0	2.0