SiO2平面光波导工艺中的反应离子刻蚀研究

• 作者: 周立兵 曹明翠 罗风光
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 平面光波导 反应离子刻蚀 硅基二氧化硅 传输损耗 侧壁光洁度
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 434-438
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 3798字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2004.06.010

摘要

利用反应离子刻蚀工艺实现硅基SiO2平面光波导的刻蚀,研究了不同刻蚀条件对刻蚀速率、刻蚀选择比、刻蚀侧壁光洁度等刻蚀结果的影响,并首次研究了分别以无定形硅与多晶硅作为SiO2波导刻蚀掩膜对刻蚀垂直度的影响.利用改进的SiO2反应离子刻蚀工艺,得到了传输损耗极低的SiO2光波导.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曹明翠	华中科技大学激光技术国家重点实验室	63	313	10.0	14.0
2	罗风光	华中科技大学激光技术国家重点实验室	57	229	8.0	12.0
3	周立兵	华中科技大学激光技术国家重点实验室	2	4	1.0	2.0