Si(111)衬底上生长GaN晶环的研究

• 作者: 孙振翠 曹文田 王强 王显明 薛成山 魏芹芹
• 来源期刊: 稀有金属材料与工程
• 学科: 工学
• 关键词: 热壁化学气相沉积 氮化镓 晶环
• 年，卷（期）: 2004,（11）
• 所属期刊栏目: 材料科学
• 页码范围: 1161-1164
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.1+2
• 字数: 506字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-185X.2004.11.010

摘要

利用热壁化学气相沉积在Si(111)衬底上获得GaN晶环,采用扫描电镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)、X射线衍射(XRD),光致发光(PL)谱和傅里叶红外吸收谱(FTIR)对晶环的组成、结构、形貌和光学特性进行分析.初步结果证明:在Si(111)衬底上获得择优生长的六方纤锌矿结构的GaN晶环.SEM显示在均匀的薄膜上出现直径约为10μm的5晶环,由XRD和SAED的分析证实晶环呈六方纤矿多晶结构,FTIR显示GaN薄膜的主要成分为GaN,同时含有少量的C污染,PL测试表明晶环呈现不同于GaN薄膜的发光特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	魏芹芹		14	58	4.0	7.0
2	薛成山		117	476	11.0	13.0
3	王强		35	177	7.0	11.0
4	王显明		3	15	2.0	3.0
5	曹文田		18	40	3.0	5.0
6	孙振翠		15	52	4.0	6.0