用射频溅射技术在硅衬底上制备In掺杂ZnO薄膜

• 作者: 方泽波 朋兴平 杨映虎 王印月 谭永胜
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氧化锌薄膜 In掺杂 光致发光谱 射频反应共溅射
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 701-704
• 页数: 4页
• 分类号: O782
• 字数: 2069字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2004.06.017

摘要

以金属锌(Zn)和金属铟(In)为靶材采用射频反应共溅射技术在硅(100)衬底上沉积了In掺杂ZnO薄膜.用X射线衍射仪、扫描电子显微镜(SEM)、热探针、四探针和荧光分光光度计分别对样品的结构、表面形貌、导电类型、电阻率和发光特性进行了分析表征.测试结果表明,实验中制备出的ZnO薄膜具有高度的c轴择优取向和小压应力(0.74 GPa),薄膜表面平整.样品为n型导电,电阻率为1.6 Ω·cm.在室温光致发光谱测量中,首次观察到位于415～433 nm的强的蓝紫光双峰发射,发光双峰的半峰全宽约为400 meV.讨论了In掺杂对薄膜发光特性的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	方泽波	兰州大学物理科学与技术学院	7	112	5.0	7.0
2	朋兴平	兰州大学物理科学与技术学院	10	188	7.0	10.0
3	谭永胜	兰州大学物理科学与技术学院	3	88	3.0	3.0
4	王印月	兰州大学物理科学与技术学院	39	567	15.0	23.0
5	杨映虎	兰州大学物理科学与技术学院	13	137	7.0	11.0