PMMA的反应离子深刻蚀

• 作者: 丁桂甫 张丛春 杨春生 黄龙旺
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 反应离子刻蚀 PMMA 高深宽比 侧壁钝化
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 157-160
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 3066字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2004.02.017

摘要

对PMMA进行反应离子深刻蚀以获得高深度比微结构.研究了纯氧刻蚀气体中加入CHF3对刻蚀速率、图形形貌等的影响.纯氧刻蚀PMMA,钻蚀现象严重.加入CHF3后,刻蚀速率随CHF3含量增加而下降.加入适量CHF3,可以在侧壁形成钝化层,保护侧壁不受钻蚀.当CHF3含量为40%,刻蚀功率30 W,工作气压为4 Pa时,即使刻蚀深度达到400 μm,侧壁仍然陡直,刻蚀深宽比大于10.