VHF-PECVD法高速率沉积氢化微晶硅薄膜

• 作者: 任慧志 吴春亚 张晓丹 杨恢东 熊绍珍 耿新华 薛俊明 赵颖 麦耀华 黄君凯
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光发射谱 氢化微晶硅薄膜 甚高频等离子体化学气相沉积 高速沉积
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 页码范围: 127-132
• 页数: 6页
• 分类号: TK511+.4
• 字数: 3550字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0254-0096.2004.02.001

摘要

采用光发射谱(OES)技术对氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜的甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)生长过程进行了原位监测,并对不同沉积条件下VHF等离子体中SiH*和H*的发光峰强度与薄膜沉积速率之间的关系进行了分析与讨论.通过Raman光谱、X射线衍射与扫描电子显微镜(SEM)测量,研究了μc-Si:H薄膜的结构特征与表面形貌.基于当前的沉积系统,对μc-Si:H薄膜沉积条件进行了初步优化,使μc-Si:H薄膜的沉积速率提高到2.0nm/s.