p沟道锗/硅异质纳米结构MOSFET存储器及其逻辑阵列

• 作者: 张荣 施毅 杨红官 沈波 濮林 郑有炓 闾锦
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 锗/硅 异质纳米结构 存储器 空穴隧穿 数值模拟
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 179-184
• 页数: 6页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 3517字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.02.012

摘要

采用巴丁(Bardeen)传输哈密顿方法,数值计算了p沟道锗/硅异质纳米结构存储器的时间特性.由于台阶状隧穿势垒和较高价带带边的作用,这种新型的存储器单元可以同时实现器件的快速编程和长久存储,具有优异的存储特性.以2×2逻辑阵列为例说明了这类存储器单元组成逻辑电路的设计原理.研究结果表明:这种器件可以作为在室温下工作的性能优异的非易失性存储器单元,有望在将来的超大规模集成电路中获得应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑有炓	南京大学物理系固体微结构国家重点实验室	78	353	11.0	15.0