BST-MEMS移相器开关

• 作者: 徐爱兰 惠春 邵雯雯
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 电子技术 BST MEMS 移相器开关 氮化硅 分布式加载
• 年，卷（期）: 2004,（10）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 20-22,26
• 页数: 4页
• 分类号: TN623
• 字数: 3134字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2004.10.008

摘要

为了提高MEMS电容开关性能,介绍了移相器的一种新型结构--分布式电容周期性加载结构.分析发现移相器的相移度和单元可变电容的变化率有关.目前MEMS可变电容单元采用的介质基本上是氮化硅.BST薄膜作为一种性质优良的介电材料,其介电常数远大于氮化硅.从MEMS移相器开关性能的几个关键指标出发,探讨在MEMS移相器开关中,用BST薄膜代替氮化硅介质的可能性.