VHF-PECVD低温高速生长的硅薄膜材料特性研究

• 作者: 任慧志 侯国付 孙健 张晓丹 朱锋 熊文娟 熊绍珍 耿新华 赵颖 魏长春
• 来源期刊: 光电子·激光
• 学科: 工学
• 关键词: 甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD) 氢化微晶硅(μc-Si:H) 微区Raman散射谱 过渡区
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 所属期刊栏目: 光电子器件和系统
• 页码范围: 507-511
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 2627字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-0086.2004.05.001

摘要

采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)方法,在保持其它参量不变的条件下,通过改变SiH4浓度(SC)成功地制备了一系列Si基薄膜样品.对材料特性的测试结果表明,同射频PECVD相比VHF-PECVD技术提高了薄膜的沉积速率,并且SC大相应的沉积速率也大;微区Raman谱测试计算结果表明,样品的晶化率(Xc)随SC的逐渐增大而减小;X射线衍射(XRD)测试结果计算显示,样品的晶粒尺寸在20～30 nm之间原子力显微镜(AFM)和微区Raman谱测试分析结果一致表明,过渡区在SC在6%～8%之间;激活能测试结果表明,制备出接近本征的微晶Si材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱锋	南开大学光电子所	13	154	7.0	12.0
2	熊绍珍	南开大学光电子所	63	380	12.0	18.0
3	耿新华	南开大学光电子所	62	364	13.0	17.0
4	赵颖	南开大学光电子所	105	1195	16.0	33.0
5	张晓丹	南开大学光电子所	57	247	7.0	14.0
6	魏长春	南开大学光电子所	24	126	6.0	10.0
7	侯国付	南开大学光电子所	23	203	9.0	13.0
8	任慧志	南开大学光电子所	10	54	4.0	7.0
9	孙健	南开大学光电子所	13	152	5.0	12.0
10	熊文娟	南开大学光电子所	2	20	2.0	2.0