短沟道MOSFET器件特性的理论研究

• 作者: 李晖 薛严冰
• 来源期刊: 大连铁道学院学报
• 学科: 工学
• 关键词: 短沟道 n沟道MOSFET 阈值电压 势垒
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 页码范围: 56-59
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.5
• 字数: 2522字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-9590.2005.02.014

摘要

通过求解泊松方程,从沟道长度调制效应、阈值电压变化及源极同沟道间的势垒变化三个方面详细分析了短沟道MOSFET的器件特性.给出了在短沟道下,描述上述三个参量的数学表达式,为短沟道MOSFET器件的结构设计提供了理论依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	薛严冰	大连交通大学电气信息学院	43	167	8.0	11.0
2	李晖	大连交通大学电气信息学院	9	53	4.0	7.0