0.8μm PD SOI MOS器件研究

• 作者: 张波 洪根深 肖志强
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: PD SOI KINK效应 热载流子效应 自加热效应
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 电路设计与制造
• 页码范围: 35-39
• 页数: 5页
• 分类号: TN432
• 字数: 2314字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2005.06.009

摘要

本文重点介绍了0.8μm PD SOI MOS器件的结构、KINK效应、热载流子效应和自加热效应等,并对这些特性从物理机理上进行了简要的阐述.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	洪根深	中国电子科技集团公司第五十八研究所	33	74	5.0	6.0