双缓冲层法在硅上外延生长GaN研究

• 作者: 冯玉春 刘彩池 徐岳生 朱军山 胡加辉 郭宝平
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: Si(111) GaN 金属有机物化学气相沉积(MOCVD) 双晶X射线衍射(DCXRD)
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 236-238
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.23
• 字数: 1897字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2005.02.024

摘要

利用金属有机物化学金相沉积MOCVD在Si(111)衬底上, 以高温AlN和低温GaN为缓冲层生长的GaN薄膜, 得到GaN(0002)和(10-12)的双晶X射线衍射(DCXRD)半高宽(FWHM)分别为721和840 s.采用高分辨率 DCXRD, 扫描电子显微镜(SEM)分析.结果表明, 以1040 ℃生长的AlN缓冲层能防止Ga与Si反应形成无定形的Si-Ga结构, 是后续生长的"模板".低温的GaN缓冲层可有效减低外延层的缺陷.DCXRD测得的FWHM为0.21, GaN峰强达7 K.