蓝宝石衬底片化学机械抛光的研究

• 作者: 刘玉岭 周建伟 李薇薇 檀柏梅 牛新环 王娟
• 来源期刊: 微细加工技术
• 学科: 工学
• 关键词: 蓝宝石 化学机械抛光 纳米硅溶胶
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 微机械加工技术
• 页码范围: 65-68
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 2730字
• 语种: 中文

摘要

为了提高蓝宝石化学机械抛光(CMP)效果,对其抛光工艺进行了研究.采用SiO2磨料对蓝宝石衬底片进行抛光,分析了抛光时的温度、pH条件、磨料粒径及浓度,结果表明,采用80 nm大粒径、高浓度的SiO2磨料,既可以保证抛光速率,又能得到良好的表面状态;当pH值在10～12时,可加速蓝宝石在碱性条件下的化学反应速率,从而提高抛光速率;在30 ℃时,能较好地平衡化学作用与机械作用,获得平滑表面;加入适量添加剂,可增大反应产物的体积,易于提高机械作用的效果,以获得较高的去除速率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	檀柏梅	河北工业大学微电子研究所	85	534	13.0	18.0
2	刘玉岭	河北工业大学微电子研究所	263	1540	17.0	22.0
3	王娟	河北工业大学微电子研究所	40	220	8.0	12.0
4	李薇薇	河北工业大学微电子研究所	27	172	8.0	10.0
5	周建伟	河北工业大学微电子研究所	40	197	8.0	11.0
6	牛新环	河北工业大学微电子研究所	69	406	10.0	17.0