真空退火对溅射淀积ZnO:Ga透明导电膜性能的影响

• 作者: 余旭浒 张锡健 王玉恒 程传福 计峰 马洪磊 马瑾
• 来源期刊: 稀有金属材料与工程
• 学科: 工学
• 关键词: 磁控溅射 ZnO:Ga 真空退火
• 年，卷（期）: 2005,（7）
• 所属期刊栏目: 材料工艺
• 页码范围: 1166-1168
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.2|TN304.055
• 字数: 2097字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-185X.2005.07.041

摘要

采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出了镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)透明导电膜,研究了真空退火对薄膜结构、电学和光学特性的影响.结果表明:真空退火后,薄膜结构得到明显改善,电阻率由退火前的1.13×10-3Ω·cm下降到5.4×10-4Ω·cm,在可见光区的平均透过率也由未退火前的83%提高到退火后的90%以上.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马瑾	山东大学物理与微电子学院	44	495	13.0	20.0
2	计峰	山东大学物理与微电子学院	23	185	7.0	13.0
3	马洪磊	山东大学物理与微电子学院	58	681	15.0	23.0
4	余旭浒	山东大学物理与微电子学院	11	144	6.0	11.0
5	程传福	山东师范大学物理系	60	372	11.0	16.0
6	张锡健	山东大学物理与微电子学院	18	195	7.0	13.0
7	王玉恒	山东大学物理与微电子学院	10	142	6.0	10.0