SiC-C/SiC复合材料进行硼离子注入的工艺研究

• 作者: 张华芳 彭丽平 武洪臣 蒋艳莉 马国佳
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: SiC-C/SiC 离子注入 复合材料 等离子体源
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 23-26
• 页数: 4页
• 分类号: TB332
• 字数: 2304字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-0322.2005.03.006

摘要

叙述采用等离子体源离子注入法(PSII),对带有SiC涂层的C纤维增强SiC基(SiC-C/SiC)复合材料进行硼离子注入的工艺研究.通过朗缪尔单探针测量了等离子的密度,对注入剂量进行了估算.对复合材料采用加金属网的工艺,来提高离子注入能量.用俄歇电子能谱检测分析了加金属网与未加金属网样品硼离子的成分深度分布.证明了加金属网工艺可以有效改善不良导体的注入效果.在空气中1300℃的高温条件下进行了氧化实验,实验结果说明对SiC-C/SiC复合材料注入硼有助于提高其抗氧化性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	武洪臣		14	93	6.0	9.0
2	张华芳		9	24	2.0	4.0
3	马国佳		16	30	4.0	4.0
4	蒋艳莉		5	10	2.0	3.0
5	彭丽平		6	10	2.0	3.0