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摘要:
Diodes公司发布了DFN封装平台和一系列新的分立器件。这种封装平台采用先进的无铅方形扁平无引线(QFN)技术,可超越SOD和SOT封装,达到最高的封装密度。这种封装的功率密度接近325mW/mm2,而SOT-23和SOD-123封装的功率密度仅分别为30mW/mm2和65mW/mm2,其高度为0.53mm,
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文献信息
篇名 Diodes发布新型封装平台及系列分立器件
来源期刊 现代表面贴装资讯 学科 工学
关键词 分立器件 平台 发布 SOT-23 功率密度 DFN封装 封装密度 SOD 引线
年,卷(期) 2005,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 22
页数 1页 分类号 TN791
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研究主题发展历程
节点文献
分立器件
平台
发布
SOT-23
功率密度
DFN封装
封装密度
SOD
引线
研究起点
研究来源
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引文网络交叉学科
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期刊影响力
现代表面贴装资讯
双月刊
1054-3685
深圳市南山区南山大道2002号光彩新天地
出版文献量(篇)
3103
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