Al诱导a-Si:H薄膜的晶化

• 作者: 祁菁 胡海龙 贺德衍 金晶
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 等离子体化学气相沉积 Al诱导晶化 氢化非晶Si薄膜 低温多晶Si薄膜
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 57-60
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.8|O484
• 字数: 2249字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2005.01.015

摘要

采用等离子体化学气相沉积方法在镀Al玻璃及单晶Si衬底上制备了氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜,研究了样品在不同的热处理过程中Al对其晶化过程的影响.X射线衍射测量发现,由于Al的存在使a-Si:H的晶化温度大幅度降低,并得到了有强烈(111)结晶取向的多晶Si薄膜.X射线光电子能谱分析表明,热处理过程中Al向Si薄膜表面的扩散降低了Si的成核温度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	贺德衍	兰州大学物理系	68	559	13.0	19.0
2	金晶	兰州大学物理系	10	33	3.0	5.0
3	祁菁	兰州大学物理系	4	20	3.0	4.0
4	胡海龙	兰州大学物理系	3	16	2.0	3.0