在Si(211)衬底上分子束外延CdTe的晶格应变

• 作者: 于梅芳 何力 吴俊 巫艳 方维政 王元樟 陈路
• 来源期刊: 激光与红外
• 学科: 工学
• 关键词: CdTe/Si 倒易点二维扫描图 剪切应变 正应变 分子束外延
• 年，卷（期）: 2005,（11）
• 所属期刊栏目: 碲镉汞外延和衬底材料
• 页码范围: 861-863
• 页数: 3页
• 分类号: O472+.1|TN304.054
• 字数: 3027字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5078.2005.11.018

摘要

文章利用高分辨率X射线衍射技术对分子束外延CdTe(211)B/Si(211)材料的CdTe外延薄膜进行了倒易点二维扫描,并通过获得的对称衍射面和非对称衍射面的倒易空间图,对CdTe外延层的剪切应变和正应变状况进行了分析.研究发现,对于CdTe/Si结构,随着CdTe厚度的增加,[1-1-1]、[01-1]两个方向的剪切角γ[1-1-1]和λ[01-1]都有变小的趋势,且γ[1-1-1]的大小约为γ[01-1]的两倍;对于CdTe/ZnTe/Si,ZnTe缓冲层的引入可以有效地降低CdTe层的剪切应变.CdTe层的正应变表现为张应变,主要来源于CdTe和Si的热膨胀系数存在差异,而在从生长温度280℃降至室温20℃的过程产生的热应变.