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摘要:
根据实验数据分析了引起片式高压多层陶瓷电容器击穿的机理,结果表明:在静电场中节瘤的凸点电场强度,是电极平面节点电场强度的3倍;端头尖端电荷密度远大于周围电荷密度;空洞和分层中的空气在高压下电离,造成的介质变薄,是MLCC被击穿的重要原因.据此提出改进措施.通过提高膜和印叠质量控制电极厚度、排粘时间和升温速率、调整端浆比例等措施,控制相关因素,使高压产品的耐压性能提高1.5倍左右.
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文献信息
篇名 片式高压多层陶瓷电容器击穿问题的研究
来源期刊 电子元件与材料 学科 工学
关键词 电子技术 片式高压多层陶瓷电容器 内电极节瘤 击穿电压
年,卷(期) 2005,(9) 所属期刊栏目 研究与试制
研究方向 页码范围 16-18
页数 3页 分类号 TM534
字数 1869字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-2028.2005.09.005
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 康雪雅 中国科学院新疆理化技术研究所 28 155 8.0 10.0
2 张明 4 26 4.0 4.0
3 曾祥明 中国科学院新疆理化技术研究所 3 10 2.0 3.0
9 赵根妹 3 22 3.0 3.0
13 周家伦 1 6 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
电子技术
片式高压多层陶瓷电容器
内电极节瘤
击穿电压
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子元件与材料
月刊
1001-2028
51-1241/TN
大16开
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
62-36
1982
chi
出版文献量(篇)
5158
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16
总被引数(次)
31758
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