交流瓷介电容器的生产工艺对击穿电压的影响

• 作者: 张宾 白军平 童钧 陶奇雄
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 电子技术 交流瓷介电容器 击穿电压 生产工艺
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 38-40
• 页数: 3页
• 分类号: TM534+.1
• 字数: 2184字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2005.01.014

摘要

击穿破坏电压是交流瓷介电容器最主要的技术参数,也是最难解决的技术难题.通过不同工艺的对比实验,具体研究了产品电板结构、引线焊接工艺、包封层固化工艺和环氧树脂包封工艺对交流瓷介电容器击穿电压的影响,据此优化了生产工艺,使得系列交流瓷介电容器耐压达到了较高的水平,Y1产品交流击穿电压达7.8 kV以上,Y2产品交流击穿电压达6.0kV以上.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张宾		3	7	2.0	2.0
2	白军平		1	4	1.0	1.0
3	陶奇雄		1	4	1.0	1.0
4	童钧		1	4	1.0	1.0