Si基CdTe复合衬底分子束外延研究

• 作者: 乔怡敏 于梅芳 何力 吴俊 巫艳 王元樟 陈路
• 来源期刊: 激光与红外
• 学科: 工学
• 关键词: 硅基 碲镉汞 复合衬底 分子束外延
• 年，卷（期）: 2005,（11）
• 所属期刊栏目: 碲镉汞外延和衬底材料
• 页码范围: 857-860
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+5|TN304.054
• 字数: 3254字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5078.2005.11.017

摘要

文章引入晶格过渡的Si/ZnTe/CdTe作为复合外延基底材料,以阻挡Si/HgCdTe之间大晶格失配产生的高密度位错.通过对低温表面清洁化、面极性控制和孪晶抑制等的研究,解决了Si基CdTe分子束外延生长中诸多的技术难题.在国内首次采用分子束外延(MBE)的方法获得了大面积的Si基CdTe复合衬底材料,对应厚度为4～4.4μm Si/CdTe(211)样品双晶半峰宽的统计平均结果为83弧秒,与相同厚度的GaAs/CdTe(211)双晶平均水平相当.