一种用以改善硅衬底螺旋电感性能的局域介质增厚新技术

• 作者: 李俊峰 杨荣 柴淑敏 赵玉印 钱鹤 韩郑生
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅 电感 结构 工艺 品质因数 自谐振频率
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 857-861
• 页数: 5页
• 分类号: TN303
• 字数: 586字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.05.002

摘要

提出了一种用于提高硅基螺旋电感性能的局部介质增厚技术.这种技术通过淀积、光刻和湿法腐蚀工艺,局部增加电感下方的氧化层厚度,以降低衬底损耗和提高电感性能.所采用的结构及工艺简单、成本低廉,与CMOS工艺兼容良好.用这种技术制作的几种不同电感量的方形螺旋电感、品质因数和自谐振频率均显著提高.10,5和2nH的电感,品质因数的峰值分别提高了46.7%,49.7%和68.6%;而自谐振频率的改善更明显,分别达到了92.1%,91.0%及不低于68.1%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩郑生	中国科学院微电子研究所	122	412	10.0	12.0
2	杨荣	中国科学院微电子研究所	16	118	5.0	10.0
3	钱鹤	中国科学院微电子研究所	32	164	7.0	12.0
4	李俊峰	中国科学院微电子研究所	29	122	7.0	9.0
5	赵玉印	中国科学院微电子研究所	4	13	2.0	3.0
6	柴淑敏	中国科学院微电子研究所	2	10	2.0	2.0