光电耦合器件g-r噪声模型

• 作者: 包军林 吴勇 庄奕琪 杜磊 马仲发
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 1/f噪声 g-r噪声 光电耦合器件 深能级缺陷
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1208-1213
• 页数: 6页
• 分类号: TN36
• 字数: 3134字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.06.028

摘要

在宽范围偏置条件下,测量了光电耦合器件的g-r(产生-复合)噪声.实验结果表明,随着偏置电流的增加,g-r噪声逐渐向高频移动,其噪声幅值呈现先增加后减小的变化规律.通过测量前级噪声和后级噪声,发现光电耦合器件g-r噪声来源于后级的光敏三极管.基于载流子数涨落机制,建立了一个光电耦合器件g-r噪声的定量分析模型.实验结果和本文模型符合良好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	庄奕琪	西安电子科技大学微电子研究所	183	1168	15.0	22.0
2	杜磊	西安电子科技大学微电子研究所	99	486	13.0	18.0
3	包军林	西安电子科技大学微电子研究所	43	306	10.0	16.0
4	马仲发	西安电子科技大学微电子研究所	6	56	4.0	6.0
5	吴勇	西安电子科技大学微电子研究所	11	64	5.0	8.0