在n型硅基底上二次注入硼离子金刚石膜的p-n结效应

• 作者: 冯克成 孙秀平 张红霞 李超 费允杰
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 离子注入 金刚石膜 异质结
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1073-1076
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.3
• 字数: 353字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.06.001

摘要

在n型Si衬底上用热丝化学气相沉积方法制备了多晶金刚石膜,用200keV的离子注入机在金刚石膜中进行了二次硼离子注入,第一次注入能量为70keV,第二次注入能量为120keV,获得了硼离子的均匀分布,测试了样品的I-V特性,发现其具有明显的p-n异质结效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张红霞	中国科学院物理研究所	10	83	3.0	9.0
2	孙秀平		36	127	7.0	8.0
3	冯克成		38	205	8.0	12.0
4	李超		17	25	3.0	4.0
5	费允杰	中国科学院物理研究所	4	23	2.0	4.0