用于Si基片上外延BST薄膜的缓冲层的研究进展

• 作者: 张鹰 李言荣 梁柱 魏贤华 黄文
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 缓冲层 Si基片 BST薄膜 异质外延 界面
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 本期专题:铁电、压电材料
• 页码范围: 97-101
• 页数: 5页
• 分类号: TB3
• 字数: 1246字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-023X.2005.05.028

摘要

由于界面之间的扩散,很难取得在Si基片上BST薄膜的外延.在这种异质结之间,稳定的缓冲层起着良好的阻挡作用以及结构上的延伸功能.综述了用于外延BST薄膜的缓冲层材料的意义和要求,及国内外通过缓冲层来控制界面以及薄膜的外延取向而获得高质量薄膜的最新研究动态,展望了今后用于外延BST薄膜的缓冲层材料发展的趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	魏贤华	电子科技大学微电子与固体电子学院	9	57	5.0	7.0
2	张鹰	电子科技大学微电子与固体电子学院	47	169	7.0	9.0
3	黄文	电子科技大学微电子与固体电子学院	14	128	6.0	11.0
4	李言荣	电子科技大学微电子与固体电子学院	115	824	15.0	21.0
5	梁柱	电子科技大学微电子与固体电子学院	1	1	1.0	1.0