基片温度对反应射频磁控溅射法制备掺杂CeO2电解质薄膜的影响

• 作者: 姜雪宁 张庆瑜 郝斌魁 陈充林
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 反应射频磁控溅射 GDC电解质薄膜 基片温度 X射线衍射 原子力显微镜
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 134-139
• 页数: 6页
• 分类号: O484
• 字数: 3804字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2006.z1.033

摘要

利用Gd/Ce镶嵌复合靶、采用反应射频磁控溅射技术制备了Gd2O3掺杂CeO2(GDC)氧离子导体电解质薄膜,重点探讨了基片温度对薄膜物相结构、沉积速率及生长形貌的影响.分析结果表明,不同温度下制备的薄膜中,立方面心结构GDC固溶体相占主导,同时存在少量体心立方结构Gd2O3中间相;GDC薄膜的生长取向随基片温度而变化,200℃时,无择优取向,500℃时薄膜呈现(220)织构,700℃则为(111)择优取向;薄膜沉积速率随基片温度呈阶段性规律变化,(220)方向择优生长越显著,沉积速率越高,薄膜粗糙度越大;AFM分析表明,薄膜为岛状生长,随温度升高,表面生长岛尺寸增大,岛密度变小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张庆瑜	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	92	897	16.0	25.0
2	姜雪宁	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	4	16	3.0	4.0
3	郝斌魁	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	1	3	1.0	1.0
4	陈充林	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	1	3	1.0	1.0