AlGaN/GaN HEMT在N2中高温退火研究

• 作者: 冯倩 张进城 张金风 杨燕 王冲 郝跃
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 高电子迁移率晶体管 泄漏电流 阈值电压 接触电阻
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 页码范围: 862-865,880
• 页数: 5页
• 分类号: TN325+.3
• 字数: 2148字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2006.06.006

摘要

通过N2气氛中对蓝宝石衬底AlGaN/GaN HEMT在200～600℃退火 1 min和 5 min的多批实验,研究了在不同温度和时间退火冷却后器件直流参数的变化.对器件欧姆接触和肖特基接触在高温退火前后的特性进行了对比分析,确定出了最有利于高电子迁移率晶体管特性提高的退火温度为500℃,退火时间为 5 min.该条件退火后高电子迁移率晶体管最大跨导提高8.9%,肖特基栅反向漏电流减小2个数量级,阈值电压绝对值减小.退火后肖特基势垒高度提高,在减小栅泄漏电流的同时对沟道电子也有耗尽作用,这是饱和电流和阈值电压变化的主要原因.采用扫描电子显微镜观察肖特基退火后的形貌,500℃未发现明显变化,600℃有起泡现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	312	1866	17.0	25.0
2	杨燕	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	18	93	5.0	8.0
3	张进城		52	301	9.0	14.0
4	冯倩	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	35	224	7.0	13.0
5	王冲	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	17	107	7.0	9.0
6	张金风	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	6	42	3.0	6.0