InGaN/GaN多量子阱蓝光LED的p-GaN盖层的MOCVD生长研究

• 作者: 刘乃鑫 刘建平 沈光地 牛南辉 王怀兵 邓军 邢燕辉 郭霞 韩军
• 来源期刊: 光电子·激光
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 伏安特性 发光二极管(LED) 金属有机物化学气相淀积(MOCVD)
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 光电子器件和系统
• 页码范围: 517-521
• 页数: 5页
• 分类号: TN303|TN304
• 字数: 2497字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-0086.2006.05.003

摘要

利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)生长了InGaN/GaN多量子阱(MQW)蓝光发光二极管(LED),研究了不同Cp2Mg流量下生长的p-GaN盖层对器件电学特性的影响.结果表明,随着Cp2Mg流量的提高,漏电流升高,并且到达一临界点会迅速恶化;正向压降则先降低,后升高.进而研究相同生长条件下生长的p-GaN薄膜的电学特性、表面形貌及晶体质量,结果表明,生长p-GaN盖层时,Cp2Mg流量过低,盖层的空穴浓度低,电学特性不好;Cp2Mg流量过高,则会产生大量的缺陷,盖层晶体质量与表面形貌变差,使得空穴浓度降低,电学特性变差.因此,生长p-GaN盖层时,为使器件的正向压降与反向漏电流均达到要求,Cp2Mg流量应精确控制.