基于SS CVD方法的a-b轴取向ZnO薄膜制备

• 作者: 戴丽萍 汤采凡 邓宏 陈根
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO薄膜 单源化学气相沉积 a-b取向
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 773-776
• 页数: 4页
• 分类号: O472.3|O482.31
• 字数: 1929字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2006.05.027

摘要

以Zn4(OH)2(O2CCH3)6·2H2O为单一固相有机源,采用单源化学气相沉积法(Single source chemical vapor deposition, SS CVD)在Si (100)衬底上制备ZnO薄膜,用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)分析ZnO薄膜样品的晶体结构和微观形貌,并用X射线光电子能谱(XPS)对薄膜的锌氧化学计量比进行了分析.研究结果表明:在非平衡条件下所得到的ZnO薄膜沿a-b轴取向生长,基片温度对ZnO薄膜生长过程影响较大,随着基片温度的升高,薄膜呈现c轴生长趋势;晶粒成柱状、尺寸均匀、膜层结构致密;薄膜样品中nZn∶nO=0.985.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓宏	电子科技大学微电子与固体电子学院	72	653	14.0	22.0
2	戴丽萍	电子科技大学微电子与固体电子学院	16	54	5.0	6.0
3	陈根	电子科技大学微电子与固体电子学院	2	6	1.0	2.0
4	汤采凡	电子科技大学微电子与固体电子学院	1	6	1.0	1.0