MEMS器件牺牲层腐蚀释放技术研究

• 作者: 丁德勇 叶甜春 景玉鹏 欧毅 石莎莉 董立军 陈大鹏
• 来源期刊: 微细加工技术
• 学科: 工学
• 关键词: MEMS 牺牲层 粘连 拉起长度 突点 自终止 升华 释放
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 微机械加工技术
• 页码范围: 58-62
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 2041字
• 语种: 中文

摘要

以非制冷红外焦平面阵列和热剪切应力传感器为代表,分析了这两种典型的薄膜悬浮结构和带空腔结构的MEMS器件在进行二氧化硅牺牲层的腐蚀和最终结构释放过程中的各种问题.根据二氧化硅的腐蚀机理,指导了对腐蚀孔(槽)的设计,通过测量不同条件下的腐蚀速度,得出升温、超声、适时更换腐蚀液是加快腐蚀速度的方法,基于粘连现象中拉起长度的概念,提出基于硅衬底下突点制作及释放牺牲层的方法,并获得了成功释放.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶甜春	中国科学院微电子研究所	200	911	14.0	18.0
2	欧毅	中国科学院微电子研究所	17	77	5.0	7.0
3	陈大鹏	中国科学院微电子研究所	79	466	10.0	17.0
4	景玉鹏	中国科学院微电子研究所	10	115	7.0	10.0
5	石莎莉	中国科学院微电子研究所	5	29	3.0	5.0
6	董立军	中国科学院微电子研究所	11	46	4.0	6.0
7	丁德勇		1	17	1.0	1.0