Zr掺杂TaOx薄膜离子导体性能的研究

• 作者: 吕佳 张新元 覃丽璐 黄佳木
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 无机非金属材料 TaOx 非晶态薄膜 离子导体 磁控溅射 掺杂
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 58-61
• 页数: 4页
• 分类号: TB3
• 字数: 3743字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2006.05.017

摘要

采用射频反应磁控溅射工艺,以纯钽、锆为靶材,在WO3/ITO/玻璃基材上制备TaOx:Zr薄膜.研究锆掺入量、掺杂方式、溅射功率等制备工艺参数对TaOx薄膜性能的影响.用三位电极法和透射光谱等方法检测薄膜的离子导电性能.结果表明:TaOx:Zr薄膜主要为非晶态,在150 W的掺杂溅射功率和10 min的相对掺杂时间的实验条件下,所制备的TaOx:Zr薄膜有良好的离子导电性能,透光率约为90%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄佳木	重庆大学材料学院	84	690	13.0	20.0
2	吕佳	重庆大学材料学院	7	50	3.0	7.0
3	张新元	重庆大学材料学院	4	36	2.0	4.0
4	覃丽璐	重庆大学材料学院	1	0	0.0	0.0