掺磷硅薄膜的微结构及光电特性研究

• 作者: 卢景霄 杨仕娥 王生钊 郜小勇 陈永生
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 微晶硅 暗电导 晶化率 透光率
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 8-11
• 页数: 4页
• 分类号: O472.2|O484.1
• 字数: 3158字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2006.01.003

摘要

采用拉曼(Raman)散射谱、扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对掺磷硅薄膜的微结构进行了分析,并对掺杂前后薄膜的暗电导进行了测试,结果表明:掺P后导致薄膜的非晶化.与本征μc-Si:H薄膜相比,掺杂后薄膜暗电导率略有降低,同时在紫外-可见光区的透光率降低,但降低的程度与具体的沉积条件有关,同时研究发现掺杂薄膜容易进行快速光热退火晶化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郜小勇	郑州大学物理工程学院教育部材料物理重点实验室	52	301	10.0	14.0
2	陈永生	郑州大学物理工程学院教育部材料物理重点实验室	67	484	11.0	19.0
3	杨仕娥	郑州大学物理工程学院教育部材料物理重点实验室	68	513	12.0	18.0
4	卢景霄	郑州大学物理工程学院教育部材料物理重点实验室	100	570	12.0	17.0
5	王生钊	郑州大学物理工程学院教育部材料物理重点实验室	4	47	4.0	4.0