InGaN/GaN多量子阱蓝光LED电学特性研究

• 作者: 刘诗文 宋颖娉 张蕾 沈光地 艾伟伟 郭霞 顾晓玲
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 蓝光发光二极管 理想因子
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 240-243
• 页数: 4页
• 分类号: TN312.8
• 字数: 3279字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2006.03.004

摘要

对不同温度(120～363 K)下InGaN/GaN多量子阱(MQW)结构蓝光发光二极管(LED)的电学特性进行了测试与深入的研究.发现对数坐标下I-V特性曲线斜率随温度变化不大.分别用载流子扩散-复合模型和隧道复合模型对其进行计算,发现室温下其理想因子远大于2,并且随着温度的下降而升高;而隧穿能量参数随温度变化不大.这说明传统的扩散-复合载流子输运模型不再适用于InGaN/GaN MQW蓝光LED.分析指出由于晶格失配以及生长工艺的制约,外延层中具有较高的缺陷密度和界面能级密度,导致其主要输运机制为载流子的隧穿.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈光地	北京工业大学北京光电子技术实验室	192	1444	18.0	29.0
2	郭霞	北京工业大学北京光电子技术实验室	54	397	11.0	16.0
3	张蕾	北京工业大学北京光电子技术实验室	43	226	7.0	12.0
4	刘诗文	北京工业大学北京光电子技术实验室	4	32	3.0	4.0
5	顾晓玲	北京工业大学北京光电子技术实验室	12	126	7.0	11.0
6	宋颖娉	北京工业大学北京光电子技术实验室	6	81	4.0	6.0
7	艾伟伟	北京工业大学北京光电子技术实验室	5	77	3.0	5.0